High-Frequency Measurements on InAs Nanowire Field-Effect Transistors using Coplanar Waveguide Contacts
In: IEEE Transactions on Nanotechnology, Jg. 9 (2010), Heft 4, S. 432 - 437
2010Artikel/Aufsatz in Zeitschrift
ElektrotechnikFakultät für Ingenieurwissenschaften » Elektrotechnik und Informationstechnik » HochfrequenztechnikFakultät für Ingenieurwissenschaften » Elektrotechnik und Informationstechnik » Bauelemente der Höchstfrequenzelektronik
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Titel in Englisch:
High-Frequency Measurements on InAs Nanowire Field-Effect Transistors using Coplanar Waveguide Contacts
Autor*in:
Blekker, KaiUDE
- LSF ID
- 49281
- Sonstiges
- der Hochschule zugeordnete*r Autor*in
- LSF ID
- 49881
- Sonstiges
- der Hochschule zugeordnete*r Autor*in
- LSF ID
- 1474
- Sonstiges
- der Hochschule zugeordnete*r Autor*in
- LSF ID
- 1459
- ORCID
- 0000-0003-0249-5927
- Sonstiges
- der Hochschule zugeordnete*r Autor*in
- GND
- 1212547101
- LSF ID
- 3910
- ORCID
- 0000-0001-5171-2065
- Sonstiges
- der Hochschule zugeordnete*r Autor*in
Erscheinungsjahr:
2010
IEEE ID
Scopus ID
Sprache des Textes:
Englisch
Schlagwort, Thema:
Gate length scaling ; high-frequency characterization ; InAs nanowire FET