Gutsche, Christoph; Lysov, Andrey; Regolin, Ingo; Blekker, Kai; Prost, Werner; Tegude, Franz-Josef:
n-Type doping of vapor–liquid–solid grown GaAs nanowires
In: Nanoscale Research Letters, Jg. 6 (2011), Heft 1, S. 65
2011Artikel/Aufsatz in ZeitschriftOA Gold
ElektrotechnikFakultät für Ingenieurwissenschaften » Elektrotechnik und Informationstechnik » Bauelemente der HöchstfrequenzelektronikForschungszentren » Center for Nanointegration Duisburg-Essen (CENIDE)
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Titel in Englisch:
n-Type doping of vapor–liquid–solid grown GaAs nanowires
Autor*in:
Gutsche, ChristophUDE
LSF ID
49282
Sonstiges
der Hochschule zugeordnete*r Autor*in
;
Lysov, AndreyUDE
LSF ID
47859
Sonstiges
der Hochschule zugeordnete*r Autor*in
;
Regolin, Ingo;Blekker, KaiUDE
LSF ID
49281
Sonstiges
der Hochschule zugeordnete*r Autor*in
;
Prost, WernerUDE
LSF ID
1459
ORCID
0000-0003-0249-5927ORCID iD
Sonstiges
der Hochschule zugeordnete*r Autor*in
;
Tegude, Franz-JosefUDE
GND
1212547101
LSF ID
3910
ORCID
0000-0001-5171-2065ORCID iD
Sonstiges
der Hochschule zugeordnete*r Autor*in
Erscheinungsjahr:
2011
Open Access?:
OA Gold
Scopus ID
Sprache des Textes:
Englisch

Abstract in Englisch:

In this letter, n-type doping of GaAs nanowires grown by metal–organic vapor phase epitaxy in the vapor–liquid–solid growth mode on (111)B GaAs substrates is reported. A low growth temperature of 400°C is adjusted in order to exclude shell growth. The impact of doping precursors on the morphology of GaAs nanowires was investigated. Tetraethyl tin as doping precursor enables heavily n-type doped GaAs nanowires in a relatively small process window while no doping effect could be found for ditertiarybutylsilane. Electrical measurements carried out on single nanowires reveal an axially non-uniform doping profile. Within a number of wires from the same run, the donor concentrations ND of GaAs nanowires are found to vary from 7 × 1017 cm-3 to 2 × 1018 cm-3. The n-type conductivity is proven by the transfer characteristics of fabricated nanowire metal–insulator-semiconductor field-effect transistor devices.