Horn-von Hoegen, Michael; Pietsch, Holger:
Homoepitaxy of Si(111) is surface defect mediated
In: Surface Science, Jg. 321 (1994), Heft 1-2, S. L129 - L136
1994Artikel/Aufsatz in Zeitschrift
Physik (inkl. Astronomie)
Damit verbunden: 1 Publikation(en)
Titel in Englisch:
Homoepitaxy of Si(111) is surface defect mediated
Autor*in:
Horn-von Hoegen, MichaelUDE
GND
1201039908
LSF ID
10366
ORCID
0000-0003-0324-3457ORCID iD
Sonstiges
der Hochschule zugeordnete*r Autor*in
korrespondierende*r Autor*in
;
Pietsch, Holger
Erscheinungsjahr:
1994
Sprache des Textes:
Englisch