Surface morphology and strain relief in surfactant mediated growth of Ge on Si(111)
In: Scanning Microscopy, Band 7 (1993), S. 481 - 488
1993Artikel/Aufsatz in Zeitschrift
Physik (inkl. Astronomie)Fakultät für Physik » Experimentalphysik
Titel:
Surface morphology and strain relief in surfactant mediated growth of Ge on Si(111)
Autor*in:
Horn-von Hoegen, MichaelUDE
- GND
- 1201039908
- LSF ID
- 10366
- ORCID
- 0000-0003-0324-3457
- Sonstiges
- der Hochschule zugeordnete*r Autor*in
Erscheinungsjahr:
1993