Strasser, Patrick; Wüest, Robert; Robin, Franck; Erni, Daniel; Jäckel, Heinz:
Detailed analysis of the influence of an ICP-RIE process on the hole depth and shape for photonic crystals in InP/InGaAsP
In: Journal of Vacuum Science and Technology B : Nanotechnology and Microelectronics, Jg. 25 (2007), Heft 2, S. 387 - 393
2007Artikel/Aufsatz in Zeitschrift
ElektrotechnikFakultät für Ingenieurwissenschaften
Titel in Englisch:
Detailed analysis of the influence of an ICP-RIE process on the hole depth and shape for photonic crystals in InP/InGaAsP
Autor*in:
Strasser, Patrick;Wüest, Robert;Robin, Franck;Erni, DanielUDE
GND
1175897205
LSF ID
47126
ORCID
0000-0002-1467-6373ORCID iD
Sonstiges
der Hochschule zugeordnete*r Autor*in
;
Jäckel, Heinz
Erscheinungsjahr:
2007
Sprache des Textes:
Englisch