Electrical investigation of V-defects in GaN using Kelvin probe and conductive atomic force microscopy
In: Applied Physics Letters (APL), Jg. 93 (2008), Heft 2, S. 022107
2008Artikel/Aufsatz in Zeitschrift
ElektrotechnikPhysik (inkl. Astronomie)MaterialtechnikForschungszentren » Center for Nanointegration Duisburg-Essen (CENIDE)
Damit verbunden: 1 Publikation(en)
Titel in Englisch:
Electrical investigation of V-defects in GaN using Kelvin probe and conductive atomic force microscopy
Autor*in:
Lochthofen, André;Mertin, WolfgangUDE
- LSF ID
- 1452
- ORCID
-
0000-0001-6792-6033
- Sonstiges
- der Hochschule zugeordnete*r Autor*in
- GND
- 110666038
- LSF ID
- 3929
- ORCID
-
0000-0001-8419-2158
- Sonstiges
- der Hochschule zugeordnete*r Autor*in
Erscheinungsjahr:
2008
Sprache des Textes:
Englisch
Erschienen in
Titel in Englisch (abgekürzt):
Appl Phys Lett
Titel in Englisch (alternativ):
Applied physics letters online
Erscheinungsort:
College Park
Verlag:
American Institute of Physics (AIP)
in:
Jg. 93 (2008), Heft 2, S. 022107
ISSN
ISSN
ZDB ID