Blekker, Kai; Münstermann, Benjamin; Matiss, Andreas; Do, Quoc-Thai; Regolin, Ingo; Brockerhoff, Wolfgang; Prost, Werner; Tegude, Franz-Josef:
High-Frequency Measurements on InAs Nanowire Field-Effect Transistors using Coplanar Waveguide Contacts
In: IEEE Transactions on Nanotechnology, Jg. 9 (2010), Heft 4, S. 432 - 437
2010Artikel/Aufsatz in Zeitschrift
ElektrotechnikFakultät für Ingenieurwissenschaften » Elektrotechnik und Informationstechnik » HochfrequenztechnikFakultät für Ingenieurwissenschaften » Elektrotechnik und Informationstechnik » Bauelemente der Höchstfrequenzelektronik
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Titel in Englisch:
High-Frequency Measurements on InAs Nanowire Field-Effect Transistors using Coplanar Waveguide Contacts
Autor*in:
Blekker, KaiUDE
LSF ID
49281
Sonstiges
der Hochschule zugeordnete*r Autor*in
;
Münstermann, BenjaminUDE
LSF ID
49881
Sonstiges
der Hochschule zugeordnete*r Autor*in
;
Matiss, Andreas
;
Do, Quoc-Thai
;
Regolin, Ingo
;
Brockerhoff, WolfgangUDE
LSF ID
1474
Sonstiges
der Hochschule zugeordnete*r Autor*in
;
Prost, WernerUDE
LSF ID
1459
ORCID
0000-0003-0249-5927ORCID iD
Sonstiges
der Hochschule zugeordnete*r Autor*in
;
Tegude, Franz-JosefUDE
GND
1212547101
LSF ID
3910
ORCID
0000-0001-5171-2065ORCID iD
Sonstiges
der Hochschule zugeordnete*r Autor*in
Erscheinungsjahr:
2010
IEEE ID
Scopus ID
Sprache des Textes:
Englisch
Schlagwort, Thema:
Gate length scaling ; high-frequency characterization ; InAs nanowire FET