Stegner, Andre R.; Pereira, Rui N.; Lechner, Robert; Klein, Konrad; Wiggers, Hartmut; Stutzmann, Martin; Brandt, Martin:
Doping efficiency in freestanding silicon nanocrystals from the gas phase: Phosphorus incorporation and defect-induced compensation
In: Physical Review B : Condensed matter and materials physics, Jg. 80 (2009), Heft 16, 165326 (10pp)
2009Artikel/Aufsatz in Zeitschrift
Maschinenbau
Damit verbunden: 1 Publikation(en)
Titel:
Doping efficiency in freestanding silicon nanocrystals from the gas phase: Phosphorus incorporation and defect-induced compensation
Autor*in:
Stegner, Andre R.;Pereira, Rui N.;Lechner, Robert;Klein, Konrad;Wiggers, HartmutUDE
GND
172637171
LSF ID
1643
ORCID
0000-0001-8487-9937ORCID iD
Sonstiges
der Hochschule zugeordnete*r Autor*in
;
Stutzmann, Martin;Brandt, Martin
Erscheinungsjahr:
2009