Meier, Cedrik; Lüttjohann, Stephan; Kravets, Vasyl G.; Nienhaus, Hermann; Lorke, Axel; Wiggers, Hartmut:
Raman properties of silicon nanoparticles
In: Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures, Jg. 32 (2006), Heft 1/2, S. 155 - 158
2006Artikel/Aufsatz in Zeitschrift
MaschinenbauPhysik (inkl. Astronomie)Fakultät für Physik » Experimentalphysik
Titel:
Raman properties of silicon nanoparticles
Autor*in:
Meier, CedrikUDE
LSF ID
2675
ORCID
0000-0002-3787-3572ORCID iD
Sonstiges
der Hochschule zugeordnete*r Autor*in
;Lüttjohann, Stephan;Kravets, Vasyl G.;Nienhaus, HermannUDE
LSF ID
1103
Sonstiges
der Hochschule zugeordnete*r Autor*in
;Lorke, AxelUDE
GND
1042619697
LSF ID
2509
ORCID
0000-0002-0405-7720ORCID iD
Sonstiges
der Hochschule zugeordnete*r Autor*in
;Wiggers, HartmutUDE
GND
172637171
LSF ID
1643
ORCID
0000-0001-8487-9937ORCID iD
Sonstiges
der Hochschule zugeordnete*r Autor*in
Erscheinungsjahr:
2006
WWW URL:
http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S1386947705004777/pdf?md5=b101703073b5753fda441dee426887e2&pid=1-s2.0-S1386947705004777-main.pdf
Erschienen in
Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures
in:
Jg. 32 (2006), Heft 1/2, S. 155 - 158
ISSN
1386-9477 Verfügbarkeit online & gedruckt anzeigen
ISSN
1873-1759 Verfügbarkeit online & gedruckt anzeigen

Abstract:

The Raman spectra of silicon nanoparticles in the size range between d=3.5d=3.5–View the MathML source60nm have been studied experimentally. Scattering processes up to second order are being observed. The experimental results are analyzed in the framework of the phonon confinement model. While this model describes qualitatively the observations for first-order scattering processes, it is not applicable for scattering processes of higher order. From the analysis of second-order scattering, we determine a redshift of the TO phonon at the X and L points.