Surfactant-mediated epitaxy of Ge on Si: progress in growth and electrical characterization
In: Thin Solid Films, Jg. 336 (1999), Heft 1-2, S. 29 - 33
Titel in Englisch:
Surfactant-mediated epitaxy of Ge on Si: progress in growth and electrical characterization
Autor*in:
Kammler, MartinUDE
- LSF ID
- 50189
- Sonstiges
- der Hochschule zugeordnete*r Autor*in
- GND
- 1201039908
- LSF ID
- 10366
- ORCID
-
0000-0003-0324-3457
- Sonstiges
- der Hochschule zugeordnete*r Autor*in
Erscheinungsjahr:
1999
Sprache des Textes:
Englisch
Erschienen in
Erscheinungsort:
Amsterdam
Verlag:
Elsevier
in:
Jg. 336 (1999), Heft 1-2, S. 29 - 33
ISSN
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ZDB ID