Bi surfactant mediated epitaxy of Ge on Si(111)
In: Thin Solid Films, Band 343-344 (1999), S. 579 - 582
Titel in Englisch:
Bi surfactant mediated epitaxy of Ge on Si(111)
Autor*in:
Horn-von Hoegen, MichaelUDE
- GND
- 1201039908
- LSF ID
- 10366
- ORCID
- 0000-0003-0324-3457
- Sonstiges
- der Hochschule zugeordnete*r Autor*in
- LSF ID
- 48700
- ORCID
- 0000-0002-5878-2012
- Sonstiges
- der Hochschule zugeordnete*r Autor*in
- LSF ID
- 50189
- Sonstiges
- der Hochschule zugeordnete*r Autor*in
Erscheinungsjahr:
1999
Sprache des Textes:
Englisch