Reinking, Dirk; Kammler, Martin; Hoffmann, N.; Horn-von Hoegen, Michael; Hofmann, Karl R.:
Fabrication of high-mobility Ge p-channel MOSFETs on Si substrates
In: Electronic Letters, Band 35 (1999), S. 503 - 504
1999Artikel/Aufsatz in Zeitschrift
Physik (inkl. Astronomie)Fakultät für Physik » Experimentalphysik
Titel:
Fabrication of high-mobility Ge p-channel MOSFETs on Si substrates
Autor*in:
Reinking, Dirk;Kammler, MartinUDE
LSF ID
50189
Sonstiges
der Hochschule zugeordnete*r Autor*in
;Hoffmann, N.;Horn-von Hoegen, MichaelUDE
GND
1201039908
LSF ID
10366
ORCID
0000-0003-0324-3457ORCID iD
Sonstiges
der Hochschule zugeordnete*r Autor*in
;Hofmann, Karl R.
Erscheinungsjahr:
1999
WWW URL:
http://ieeexplore.ieee.org/xpls/abs_all.jsp?arnumber=756421&tag=1
Erschienen in
Electronic Letters
in:
Band 35 (1999), S. 503 - 504
ISSN
0013-5194 Verfügbarkeit online & gedruckt anzeigen

Abstract:

The first fabrication of Ge p-channel MOSFETs (p-MOSFETs) on Si substrates is reported. A CMOS compatible process based on relaxed Ge layers grown on Si(111) substrates by surfactant mediated epitaxy (SME) was used. The non-optimised low temperature process yielded normally-off Ge p-MOSFETs with record channel drift mobilities of 430 cm2/Vs