Hofmann, Karl R.; Reinking, Dirk; Kammler, Martin; Horn-von Hoegen, Michael:
Surfactant-grown low-doped Germanium layers on Silicon with high electron mobilities
In: Thin Solid Films, Jg. 321 (1998), Heft 1-2, S. 125 - 130
1998Artikel/Aufsatz in Zeitschrift
Physik (inkl. Astronomie)
Damit verbunden: 1 Publikation(en)
Titel in Englisch:
Surfactant-grown low-doped Germanium layers on Silicon with high electron mobilities
Autor*in:
Hofmann, Karl R.;Reinking, Dirk;Kammler, MartinUDE
LSF ID
50189
Sonstiges
der Hochschule zugeordnete*r Autor*in
;
Horn-von Hoegen, MichaelUDE
GND
1201039908
LSF ID
10366
ORCID
0000-0003-0324-3457ORCID iD
Sonstiges
der Hochschule zugeordnete*r Autor*in
Erscheinungsjahr:
1998
Sprache des Textes:
Englisch