Surfactant-grown low-doped Germanium layers on Silicon with high electron mobilities
In: Thin Solid Films, Jg. 321 (1998), Heft 1-2, S. 125 - 130
Titel in Englisch:
Surfactant-grown low-doped Germanium layers on Silicon with high electron mobilities
Autor*in:
Hofmann, Karl R.;Reinking, Dirk;Kammler, MartinUDE
- LSF ID
- 50189
- Sonstiges
- der Hochschule zugeordnete*r Autor*in
- GND
- 1201039908
- LSF ID
- 10366
- ORCID
- 0000-0003-0324-3457
- Sonstiges
- der Hochschule zugeordnete*r Autor*in
Erscheinungsjahr:
1998
Sprache des Textes:
Englisch