Detailed analysis of the influence of an ICP-RIE process on the hole depth and shape for photonic crystals in InP/InGaAsP
In: Journal of Vacuum Science and Technology B : Nanotechnology and Microelectronics, Jg. 25 (2007), Heft 2, S. 387 - 393
2007Artikel/Aufsatz in Zeitschrift
ElektrotechnikFakultät für Ingenieurwissenschaften
Titel in Englisch:
Detailed analysis of the influence of an ICP-RIE process on the hole depth and shape for photonic crystals in InP/InGaAsP
Autor*in:
Strasser, Patrick;Wüest, Robert;Robin, Franck;Erni, DanielUDE
- GND
- 1175897205
- LSF ID
- 47126
- ORCID
- 0000-0002-1467-6373
- Sonstiges
- der Hochschule zugeordnete*r Autor*in
Erscheinungsjahr:
2007
Sprache des Textes:
Englisch