Enhanced high temperature performance of PD-SOI MOSFETs in analog circuits using reverse body biasing
In: Journal of Microelectronics and Electronic Packaging, Jg. 10 (2013), Heft 4, S. 171 - 182
2013Artikel/Aufsatz in Zeitschrift
ElektrotechnikFakultät für Ingenieurwissenschaften » Elektrotechnik und Informationstechnik » Elektronische Bauelemente und Schaltungen
Damit verbunden: 1 Publikation(en)
Titel in Englisch:
Enhanced high temperature performance of PD-SOI MOSFETs in analog circuits using reverse body biasing
Autor*in:
Schmidt, Alexander;Kappert, Holger;Kokozinski, RainerUDE
- GND
- 173084451
- LSF ID
- 50200
- ORCID
- 0000-0003-3416-3310
- Sonstiges
- der Hochschule zugeordnete*r Autor*in
Erscheinungsjahr:
2013
Sprache des Textes:
Englisch