The initial stages of growth of silicon on Si(111) by spot profile analysing low-energy electron diffraction
In: Thin Solid Films, Jg. 183 (1989), Heft 1-2, S. 213 - 220
Titel in Englisch:
The initial stages of growth of silicon on Si(111) by spot profile analysing low-energy electron diffraction
Autor*in:
Horn-von Hoegen, MichaelUDE
- GND
- 1201039908
- LSF ID
- 10366
- ORCID
- 0000-0003-0324-3457
- Sonstiges
- der Hochschule zugeordnete*r Autor*in
Erscheinungsjahr:
1989
Sprache des Textes:
Englisch