An analytic many-body potential for GaAs(001) homoepitaxy : bulk and surface properties
In: Physical Review B : Condensed matter and materials physics, Jg. 83 (2011), Heft 19, S. 195328
2011Artikel/Aufsatz in Zeitschrift
Physik (inkl. Astronomie)Fakultät für Physik » Theoretische PhysikForschungszentren » Center for Nanointegration Duisburg-Essen (CENIDE)
Damit verbunden: 1 Publikation(en)
Titel in Englisch:
An analytic many-body potential for GaAs(001) homoepitaxy : bulk and surface properties
Autor*in:
Fichthorn, Kristen A.;Tiwary, Yogesh;Hammerschmidt, Thomas;Kratzer, PeterUDE
- GND
- 1266252894
- LSF ID
- 14826
- ORCID
- 0000-0001-5947-1366
- Sonstiges
- der Hochschule zugeordnete*r Autor*in
Erscheinungsjahr:
2011
Sprache des Textes:
Englisch