Formation of interfacial dislocation network in surfactant mediated growth of Ge on Si(111) investigated by Spa-Leed : Part I
In: Surface Science, Jg. 298 (1993), Heft 1, S. 29 - 42
Titel in Englisch:
Formation of interfacial dislocation network in surfactant mediated growth of Ge on Si(111) investigated by Spa-Leed : Part I
Autor*in:
Horn-von Hoegen, MichaelUDE
- GND
- 1201039908
- LSF ID
- 10366
- ORCID
- 0000-0003-0324-3457
- Sonstiges
- der Hochschule zugeordnete*r Autor*in
Erscheinungsjahr:
1993
Sprache des Textes:
Englisch