Microscopic investigation of InGaN/GaN heterostructure laser diode degradation using Kelvin probe force microscopy
In: Journal of Physics D : Applied Physics, Jg. 41 (2008), Heft 13, S. 135115
2008Artikel/Aufsatz in Zeitschrift
ElektrotechnikPhysik (inkl. Astronomie)MaterialtechnikForschungszentren » Center for Nanointegration Duisburg-Essen (CENIDE)
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Titel in Englisch:
Microscopic investigation of InGaN/GaN heterostructure laser diode degradation using Kelvin probe force microscopy
Autor*in:
Lochthofen, André;Mertin, WolfgangUDE
- LSF ID
- 1452
- ORCID
- 0000-0001-6792-6033
- Sonstiges
- der Hochschule zugeordnete*r Autor*in
- GND
- 110666038
- LSF ID
- 3929
- ORCID
- 0000-0001-8419-2158
- Sonstiges
- der Hochschule zugeordnete*r Autor*in
Erscheinungsjahr:
2008
Sprache des Textes:
Englisch