Homoepitaxy of Si(111) is surface defect mediated
In: Surface Science, Jg. 321 (1994), Heft 1-2, S. L129 - L136
Titel in Englisch:
Homoepitaxy of Si(111) is surface defect mediated
Autor*in:
Horn-von Hoegen, MichaelUDE
- GND
- 1201039908
- LSF ID
- 10366
- ORCID
- 0000-0003-0324-3457
- Sonstiges
- der Hochschule zugeordnete*r Autor*in
korrespondierende*r Autor*in
Erscheinungsjahr:
1994
Sprache des Textes:
Englisch